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J-GLOBAL ID：200903025036606477

スピン注入を用いて磁気ラム素子を駆動させる方法、及び磁気ラム素子

Inventor： 鄭 元 哲 ,  金 奇 南 ,  鄭 弘 植 ,  鄭 基 泰 ,  朴 哉 ▲げん▼
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (3)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005234722
Publication number (International publication number)：2006054046
Application date： Aug. 12, 2005
Publication date： Feb. 23, 2006
Summary：

【課題】 基板上の磁気トンネル接合構造体を有するメモリセルを備える磁気ラム素子の駆動方法を提供する。【解決手段】 基板1上に磁気トンネル接合構造体41a、41bを有するメモリセルを備える磁気ラム素子を駆動させる方法であって、前記磁気トンネル接合構造体41a、41bを介して書込み電流パルスを印加する段階と、前記磁気トンネル接合構造体に書込み磁界パルスを印加する段階と、を含み、前記書込み磁界パルスの少なくとも一部は前記書込み電流パルスの少なくとも一部と時間的に重複することを特徴とする磁気ラム素子の駆動方法。【選択図】 図5

Claim (excerpt)：

基板上に磁気トンネル接合構造体を有するメモリセルを備える磁気ラム素子を駆動させる方法であって、 前記磁気トンネル接合構造体を介して書込み電流パルスを印加する段階と、 前記磁気トンネル接合構造体に書込み磁界パルスを印加する段階と、を含み、 前記書込み磁界パルスの少なくとも一部は前記書込み電流パルスの少なくとも一部と時間的に重複することを特徴とする磁気ラム素子の駆動方法。

IPC (5)：

G11C 11/15 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824

FI (4)：

G11C11/15 140 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

F-Term (10)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA15 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA11 ,  5F083KA17 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許第6、130、814号明細書
  
• 米国特許第6、603、677B2号明細書
  

Cited by examiner (3)

• 磁気メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-163957   Applicant：ソニー株式会社
• 薄膜磁性体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-347098   Applicant：三菱電機株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-265663   Applicant：株式会社東芝