薄膜磁性体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001347098
Publication number (International publication number)：2003151260
Application date： Nov. 13, 2001
Publication date： May. 23, 2003
Summary：

【要約】【課題】安定した磁化特性を有するMTJメモリセルの形状に整合して、安定的に動作する薄膜磁性体記憶装置を提供する。【解決手段】 MTJメモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子TMRは、磁化特性を安定化させるために、縦横比が1より大きい細長形状を有する。データ書込電流が流されるビット線BLおよびライトワード線WWLは、トンネル磁気抵抗素子TMRの短辺方向および長辺方向にそれぞれ沿って配置される。配線幅の確保が容易なビット線BLを流れるデータ書込電流は、ライトワード線WWLを流れるデータ書込電流よりも大きく設計される。たとえば、ライトワード線WWLを、ビット線BLよりもトンネル磁気抵抗素子TMRに近接して配置する。

Claim (excerpt)：

各々が、第1および第2のデータ書込電流によって発生する所定のデータ書込磁界の印加に応答して書換可能な磁化方向に応じて電気抵抗が変化する磁気記憶部を有する複数のメモリセルと、前記第1のデータ書込電流を流すために第1の方向に沿って配置される第1のデータ書込配線と、前記第2のデータ書込電流を流すために第2の方向に沿って配置される第2のデータ書込配線とを備え、前記第1のデータ書込電流は、前記第2のデータ書込電流よりも大きく、前記第1のデータ書込配線の断面積は、前記第2のデータ書込配線の断面積よりも大きい、薄膜磁性体記憶装置。

IPC (4)：

G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (5)：

G11C 11/14 A , G11C 11/14 Z , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (12)：

5F083FZ10 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA07 , 5F083LA10 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083ZA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

メモリー素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-106270 Applicant：松下電器産業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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