半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002001675
Publication number (International publication number)：2003204040
Application date： Jan. 08, 2002
Publication date： Jul. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】キャパシタと導電パターンを接続する導電性プラグを有する半導体装置に関し、キャパシタ下部電極の直下のコンタクトプラグの歩留まりを向上し、それ以外のコンタクトプラグの設計を容易にすることを目的とする。【解決手段】導体基板1に形成された第1及び第2不純物拡散領域5a,5bと、半導体基板1の上方に形成された第1の絶縁膜8と、第1絶縁膜8のうち第1不純物拡散領域5a上に形成された第1ホール9aと、第1ホール9a内に形成された金属膜よりなる第1導電性プラグ10aと、第1絶縁膜8のうち第2不純物拡散領域5bの上に形成された第2ホール9bと、第2ホール9b内に形成され且つ前記金属膜よりも酸化されにくい導電材料よりなる第2導電性プラグ10bと、第2導電性プラグ10b上面に接続される下部電極13a、誘電体膜14a及び上部電極15aとからなるキャパシタQ1 とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成されたトランジスタを構成する第1及び第2の不純物拡散領域と、前記半導体基板の上方に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜のうち前記第1の不純物拡散領域の上に形成された第1のホールと、前記第1のホール内に形成された金属膜よりなる第1の導電性プラグと、前記第1の絶縁膜のうち前記第2の不純物拡散領域の上に形成された第2のホールと、前記第2のホール内に形成され且つ前記金属膜よりも酸化されにくい導電材料よりなる第2の導電性プラグと、前記第2の導電性プラグの上面に接続される下部電極と、強誘電体と高誘電体のいずれかの誘電体膜と、上部電極とからなるキャパシタとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 27/105 , G11C 11/22 501 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/10 461

FI (4)：

G11C 11/22 501 Z , H01L 27/10 461 , H01L 27/10 444 B , H01L 27/08 321 E

F-Term (37)：

5F048AB01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC07 , 5F048BE03 , 5F048BF07 , 5F048BG01 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F083FR02 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083MA04 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083ZA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-317498 Applicant：日本電気株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-115871 Applicant：株式会社日立製作所
強誘電体不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-297778 Applicant：ソニー株式会社

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