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J-GLOBAL ID：200903043818000983

半導体装置の製造方法

Inventor： 渡嘉敷 健
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 高橋 詔男 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997317498
Publication number (International publication number)：1999150245
Application date： Nov. 18, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 STO膜、BST膜、PZT膜、Y1膜を容量絶縁膜として、また貴金属を容量電極として用いたキャパシタ素子を有する半導体装置の製造する際、水素ガスによる熱処理が引き起こすキャパシタ素子の特性劣化を低減させ、高い信頼性及び生産性のもとで且つ容易に半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、下部電極12、高誘電率の容量絶縁膜13および上部電極14からなるキャパシタ素子を有している。このキャパシタ素子を形成する際、キャパシタ素子の下部電極12に容量絶縁膜13を形成する工程以前に、少なくとも一回以上、水素を含むガスで半導体装置を熱処理する。

Claim (excerpt)：

高誘電率膜または強誘電率膜を用いたキャパシタ素子を有する半導体装置の製造方法において、キャパシタ素子の下部電極に前記高誘電率膜を形成する工程以前に、少なくとも一回以上、水素を含むガスで半導体装置を熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置を形成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-055496   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 半導体メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-054776   Applicant：三星電子株式会社