パターン形成方法及びパターン形成に用いるマスク

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001199647
Publication number (International publication number)：2003017390
Application date： Jun. 29, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】孤立したパターンにおけるエッチングプロセスに起因する寸法変化を補正する。【解決手段】本発明は、エッチング変換差の許容値を決定し、この決定されたエッチング変換差におけるパターン間の最大距離Xmaxを求める工程と、ゲートパターン間の距離XG-Gを最大距離Xmax以下となるようにゲートパターンを配置することによって、又はゲートパターンとダミーパターンとの間の距離XG-Dを最大距離Xmax以下となるようにゲートパターン及びダミーパターンを配置することによって、設計レイアウトを作成する工程と、この設計レイアウトに基づいて、マスクの設計データの変換を行う工程と、この変換された設計データを用いて、リソグラフィ及びエッチングによりゲートパターンの形成を行う工程とを含む。

Claim (excerpt)：

エッチング変換差の許容値を決定する工程と、決定された前記エッチング変換差を生じさせるパターン間の最大距離Xmaxを求める工程と、主パターン間の距離XG-Gを前記最大距離Xmax以下となるように前記主パターンを配置することによって、又は前記主パターンとダミーパターンとの間の距離XG-Dを前記最大距離Xmax以下となるように前記主パターン及び前記ダミーパターンを配置することによって、設計レイアウトを作成する工程と、前記設計レイアウトに基づいて、設計データの変換を行う工程と、変換された前記設計データを用いて、前記主パターン及び前記ダミーパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/3065

FI (6)：

G03F 1/08 A , G03F 1/08 D , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 514 C , H01L 21/30 502 P , H01L 21/302 J

F-Term (8)：

2H095BB01 , 2H095BB02 , 5F004AA04 , 5F004DB02 , 5F004DB07 , 5F004EA21 , 5F046AA26 , 5F046CB17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

露光用マスクのパターン補正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-273211 Applicant：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
荷電ビーム描画方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217554 Applicant：株式会社東芝
特開平3-180041

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