マスクパターン補正方法とその補正システム

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997338762
Publication number (International publication number)：1999174658
Application date： Dec. 09, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】同一デバイス内で複数のゲート材料をエッチングする際に生じるエッチング変換差によるプロセス起因の近接効果を補正すること。【解決手段】補正領域を抽出した(ステップS1)後、n+ 型多結晶Siゲート層を抽出する(ステップS2)。n+ 型多結晶Siゲート層の隣接パターン距離をp+ 型多結晶Siゲート層を含んで算出し(ステップS3)、n+ 型多結晶Siゲート層の隣接パターンの補正テーブルを参照して(ステップS4)、n+ 型多結晶Siゲート層のパターンを補正する(ステップS5)。次に、p+ 型多結晶Siゲート層を抽出し(ステップS6)、p+ 型多結晶Siゲート層の隣接パターン距離をn+ 型多結晶Siゲート層を含んで算出する(ステップS7)。p+ 型多結晶Siゲート層の隣接パターンの補正テーブルを参照して(ステップS8)、p+ 型多結晶Siゲート層のパターンを補正する(ステップS9)。

Claim (excerpt)：

第1の被加工材料と、この第1の被加工材料と加工特性の異なる第2の被加工材料を複数配置して成る半導体装置のマスクパターン補正方法に於いて、第1の被加工材料を抽出する第1のステップと、上記第1の被加工材料の隣接パターン距離を、第2の被加工材料を含めて算出する第2のステップと、上記第1の被加工材料の隣接パターンの補正テーブルを参照する第3のステップと、上記補正テーブルに基いて、上記第1の被加工材料のマスクパターンを補正する第4のステップと、上記第2の被加工材料を抽出する第5のステップと、上記第2の被加工材料の隣接パターン距離を、上記第1の被加工材料を含めて算出する第6のステップと、上記第2の被加工材料の隣接パターンの補正テーブルを参照する第7のステップと、上記補正テーブルに基いて、上記第2の被加工材料のマスクパターンを補正する第8のステップとを具備することを特徴とする半導体装置のマスクパターン補正方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 1/08 T , H01L 21/30 502 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

マスクパターン補正方法、パターン形成方法及びフォトマスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-125172 Applicant：富士通株式会社
半導体装置におけるコンタクトホールの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-062188 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体装置の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-022802 Applicant：ソニー株式会社

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