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J-GLOBAL ID：200903025407864385
半導体記憶装置及びメモリセルの書き込み並びに消去方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
政木 良文
, 橋本 薫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003018645
Publication number (International publication number)：2004234707
Application date： Jan. 28, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：
【課題】書き込みまたは消去処理に要する時間の短縮化と書き込みまたは消去精度の高い半導体記憶装置を提供する。【解決手段】電気的ストレスにより電気抵抗が変化し前記電気的ストレス解除後も変化した電気抵抗が保持される抵抗変化素子R11〜RijとN型NOSFETで構成される選択トランジスタT11〜Tijを備えてなるメモリセル1cがマトリックス状に配列されたメモリアレイ1と、前記抵抗変化素子R11〜Rijに電気ストレスを印加して前記メモリセル1cへのデータの書き込みを行う書き込み手段2と、書き込み動作時における前記電気抵抗の変化を検知する書き込み状態検知手段3と、前記電気抵抗が所定のリファレンス値まで変化したときに電気ストレスの印加を停止する書き込み制御手段4とを備えて構成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
電気抵抗が変化する抵抗変化素子を備えてなるメモリセルと、
前記抵抗変化素子の前記電気抵抗の変化を用いて前記メモリセルへのデータの書き込みを行う書き込み手段と、
前記書き込み手段による書き込み動作時における前記電気抵抗の変化を検知する書き込み状態検知手段と、
前記電気抵抗が所定のリファレンス値まで変化したときに前記書き込み手段による書き込みを停止する書き込み制御手段と、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (1)：
FI (1)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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特許第6434060号
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半導体デバイス
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-064536
Applicant：川崎製鉄株式会社
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メモリセルのしきい値電圧制御方法及び半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-240464
Applicant：株式会社沖マイクロデザイン, 沖電気工業株式会社
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Article cited by the Patent：
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