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J-GLOBAL ID：200903025569845414

化学気相成長用原料及びこれを用いた薄膜の製造方法

Inventor：
小野沢 和久

About 小野沢 和久

, 
山田 直樹

About 山田 直樹


Applicant, Patent owner：
旭電化工業株式会社

About 旭電化工業株式会社


Agent (1)： 羽鳥 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000349622
Publication number (International publication number)：2002069641
Application date： Nov. 16, 2000
Publication date： Mar. 08, 2002
Summary：
【要約】【課題】 CVD法による薄膜の製造に適した4族元素であるチタニウム、ジルコニウム及びハフニウム原料及びこれを用いた薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(I)で表される金属化合物を含有してなる化学気相成長用原料。【化1】(式中、Mはチタニウム、ジルコニウム又はハフニウム原子を表し、R1 、R2 及びR5 は各々独立に炭素数1〜8の鎖中に1〜2個酸素原子を含んでもよいアルキル基を表し、R3 及びR4 は各々独立に水素原子、炭素数1〜4のアルキル基を表し、Aは炭素数1〜4のアルキレン基を表し、nはMがチタニウム原子の場合、0、1又は3を表し、Mがジルコニウム又はハフニウムの場合、0、1、2又は3を表す)
Claim (excerpt)：
下記一般式(I)で表される金属化合物を含有してなる化学気相成長用原料。【化1】(式中、Mはチタニウム、ジルコニウム又はハフニウム原子を表し、R1 、R2 及びR5 は各々独立に炭素数1〜8の鎖中に1〜2個酸素原子を含んでもよいアルキル基を表し、R3 及びR4 は各々独立に水素原子、炭素数1〜4のアルキル基を表し、Aは炭素数1〜4のアルキレン基を表し、nはMがチタニウム原子の場合、0、1又は3を表し、Mがジルコニウム又はハフニウムの場合、0、1、2又は3を表す)
IPC (4)：
C23C 16/18 ,  C07C 49/92 ,  C07F 7/00 ,  C07F 7/28
FI (5)：
C23C 16/18 ,  C07C 49/92 ,  C07F 7/00 A ,  C07F 7/00 Z ,  C07F 7/28 F
F-Term (16)：
4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006AB91 ,  4H049VN05 ,  4H049VN06 ,  4H049VN07 ,  4H049VP01 ,  4H049VU24 ,  4H049VW02 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA46 ,  4K030FA10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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