ビスマス含有複合金属酸化膜

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：羽鳥修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998223246
Publication number (International publication number)：2000053422
Application date： Aug. 06, 1998
Publication date： Feb. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】比較的融点が低く、室温で液体またはわずかな加温で液化し、取り扱いが容易で成膜室への供給性に優れ、また昇華ではなく蒸発によって気化が可能で気化速度を一定に保つことができ、成膜室への原料の供給量の制御が容易であり、さらに、熱安定性や分解温度がCVD原料に好適なビスマス化合物を用いてなるビスマス含有複合金属酸化膜を提供すること。【解決手段】本発明のビスマス含有複合金属酸化膜は、化学気相成長法により、ABi2 B2 O9 (式中、AはSrまたはBaを表し、BはTaまたはNbを表す)で表されるビスマス含有金属複合酸化膜を成膜するに際し、原料の一つとして下記[化1]の一般式(I)で表されるビスマス化合物を用いてなるものである。【化1】

Claim (excerpt)：

化学気相成長法により、ABi2 B2 O9 (式中、AはSrまたはBaを表し、BはTaまたはNbを表す)で表されるビスマス含有金属複合酸化膜を成膜するに際し、原料の一つとして下記[化1]の一般式(I)で表されるビスマス化合物を用いてなることを特徴とするビスマス含有複合金属酸化膜。【化1】

IPC (9)：

C01G 35/00 , C01G 33/00 , C23C 16/40 , H01G 4/12 310 , C07F 9/94 , H01L 21/316 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (8)：

C01G 35/00 B , C01G 33/00 A , C23C 16/40 , H01G 4/12 310 , C07F 9/94 , H01L 21/316 X , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-254398 Applicant：株式会社高純度化学研究所
MOCVDによるヘテロ金属酸化物の成長用前駆体
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-557258 Applicant：イギリス国
ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-296313 Applicant：株式会社高純度化学研究所

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