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J-GLOBAL ID：200903025615130735

プロセスチャンバー内のクリーニング方法及び基板処理装置

Inventor：
小菅 一生

About 小菅 一生


Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

About アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999308528
Publication number (International publication number)：2001127056
Application date： Oct. 29, 1999
Publication date： May. 11, 2001
Summary：
【要約】【課題】 高価なガスや地球温暖化に影響を与えるガスを使用することなく且つ低い設備コストで、プロセスチャンバー内に付着したSi系付着物を除去することができるプロセスチャンバー内のクリーニング方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】 成膜プロセスの終了後、プロセスチャンバー2内のクリーニングプロセスを実行する場合、ポンプ9によるプロセスチャンバー2内の減圧排気を継続した状態で、HFガス及びN2ガスをプロセスチャンバー2内に導入する。すると、プロセスチャンバー2の内壁等に付着したSiO2膜に対してHFが直接化学反応を起こし、SiO2膜が分解除去される。そして、化学反応により生成されるSiF4及びH2Oが、排ガスとしてプロセスチャンバー2の外部に排出される。
Claim (excerpt)：
プロセスチャンバー内にHFガスを導入し、前記プロセスチャンバー内に付着したSi系付着物を除去するプロセスチャンバー内のクリーニング方法。
IPC (2)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/3065
FI (3)：
H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 F
F-Term (23)：
5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BC08 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA20 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045BB08 ,  5F045EB06 ,  5F045EC07 ,  5F045EF05 ,  5F045EF11 ,  5F045EH13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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