Pat
J-GLOBAL ID:200903029064199980
CVD装置及びそのクリーニング方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997103211
Publication number (International publication number):1998050685
Application date: Apr. 21, 1997
Publication date: Feb. 20, 1998
Summary:
【要約】【課題】CVD装置のスループットの改善対策として、精度の良い高速クリーニングが可能なCVD装置及びクリーニング方法を提供すること。【解決手段】CVD装置のチャンバ11内をクリーニングするため、クリーニング用のエッチングガスとしてのHF系ガス供給システム23が設けられている。22はバルブ、12は絶縁体、13はサセプタ及び電極(下部電極14) 、14は電極(上部電極)、15は真空シール部(O-リング)、16は石英窓板、17-a,17-bは原料ガス供給管である。20は排気配管であり、21は例えば自動圧力調整弁である。
Claim (excerpt):
酸化珪素膜を成長させるCVD装置において、HFガスを前記CVD装置に導入する手段を具備し、装置内部に付着したSiとOを主成分とする堆積物をクリーニングすることを特徴とするCVD装置。
IPC (4):
H01L 21/31
, C23C 16/44
, H01L 21/3065
, H01L 21/304 341
FI (4):
H01L 21/31 B
, C23C 16/44 J
, H01L 21/304 341 Z
, H01L 21/302 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
-
成膜装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-142715
Applicant:新日本製鐵株式会社
-
特開平1-286424
-
特開平3-094059
-
半導体薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-188043
Applicant:株式会社東芝
-
特開平2-094522
-
横型減圧CVD装置及びそのクリーニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-316567
Applicant:三菱電機株式会社
-
薄膜成膜装置および成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-082811
Applicant:三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
-
基板処理装置及び化学蒸着装置洗浄方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-031788
Applicant:ノベラス・システムズ・インコーポレイテッド
Show all
Return to Previous Page