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J-GLOBAL ID：200903025621955703

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 松浦 正純
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001348736
Publication number (International publication number)：2003152076
Application date： Nov. 14, 2001
Publication date： May. 23, 2003
Summary：

【要約】【課題】 銅配線構造をもつ半導体装置において、シリコン炭化膜の銅拡散防止能を改善し、銅拡散により引き起こされる絶縁破壊までの寿命を長時間化することにある。また、その製造方法も提供する。【解決手段】 第1の銅配線7と第2の低誘電率層間絶縁膜9との間に第1の銅拡散防止膜8を設ける。第1の銅拡散防止膜8には、酸素原子、または、それに加えて窒素原子を30原子%以上含ませたシリコン炭化膜を採用する。そのようなシリコン炭化膜を採用することで、銅拡散防止機能が改善され、銅拡散に起因する絶縁破壊までの寿命を長時間化させることができる。

Claim (excerpt)：

層間絶縁膜と、銅を主成分とする導電体と、シリコン炭化膜とを備え、前記導電体と前記層間絶縁膜との間には、前記シリコン炭化膜が介在し、前記シリコン炭化膜には、酸素原子が30原子%以上含まれる半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/314

FI (3)：

H01L 21/314 A ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/90 A

F-Term (47)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR20 ,  5F033RR21 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT08 ,  5F033WW04 ,  5F033XX28 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF26 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-264225   Applicant：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-146242   Applicant：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所