半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000264225
Publication number (International publication number)：2001326224
Application date： Aug. 31, 2000
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】配線を被覆して低誘電率を有する層間絶縁膜を形成し、かつ層間絶縁膜にビアホール等を形成したときに、配線の酸化やエッチングを防止することができ、かつ層間絶縁膜を挟む配線間のリーク電流を小さくする。【解決手段】配線23が露出している被成膜基板21上に層間絶縁膜25を形成する半導体装置の製造方法において、シリコン(Si)、酸素(O)、炭素(C)及び水素(H)を含むシリコン化合物を成膜ガスとしてプラズマ化し、反応させて、配線23と層間絶縁膜25の間に、Si,O,C,Hを含有するブロック絶縁膜24を形成する。

Claim (excerpt)：

配線が露出している被成膜基板上に層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、シリコン(Si)、酸素(O)、炭素(C)及び水素(H)を含むシリコン化合物を成膜ガスとしてプラズマ化し、反応させて、前記配線と前記層間絶縁膜の間に、前記Si,O,C,Hを含有するブロック絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (6)：

H01L 21/316 X , H01L 21/316 M , H01L 21/31 C , H01L 21/88 M , H01L 21/90 S , H01L 21/90 A

F-Term (58)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ37 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033SS03 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033TT04 , 5F033WW01 , 5F033WW07 , 5F033XX18 , 5F033XX20 , 5F033XX24 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045BB16 , 5F045CB05 , 5F045DP03 , 5F045EH01 , 5F045EH11 , 5F045EH14 , 5F045EH17 , 5F045HA13 , 5F058BA20 , 5F058BB05 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF26 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-006381 Applicant：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-320973 Applicant：日本電気株式会社
エッチング方法、半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-117680 Applicant：松下電器産業株式会社

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