半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000146242
Publication number (International publication number)：2001326279
Application date： May. 18, 2000
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】銅配線間に低誘電率を有する多層の絶縁膜からなる層間絶縁膜を形成したときに、層間絶縁膜の剥がれを防止しつつ、層間絶縁膜を挟む銅配線間のリーク電流を小さくする。【解決手段】表面に銅配線23が露出した基板21上に低誘電率を有する層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜は多層の絶縁膜から構成されてなり、多層の絶縁膜のうち銅配線23と接する絶縁膜24を、シロキサン結合を有するアルキル化合物と、該アルキル化合物のガス流量と等しいか又は少ないガス流量に調整されたN2O、H2O又はCO2のうち何れか一の酸素含有ガスとを含む成膜ガスをプラズマ化し、反応させて成膜する。

Claim (excerpt)：

表面に銅配線が露出した基板上に低誘電率を有する層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜は多層の絶縁膜から構成されてなり、該多層の絶縁膜のうち前記銅配線と接する絶縁膜を、シロキサン結合を有するアルキル化合物と、該アルキル化合物のガス流量と等しいか又は少ないガス流量に調整されたN2O、H2O又はCO2のうち何れか一の酸素含有ガスとを含む成膜ガスをプラズマ化し、反応させて成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/316 , H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/316 X , H01L 21/90 M , H01L 21/88 M

F-Term (38)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033KK32 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033XX00 , 5F033XX14 , 5F033XX24 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF26 , 5F058BF29 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-006381 Applicant：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-320973 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-009535 Applicant：ソニー株式会社

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