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J-GLOBAL ID：200903025623900531

エッチング方法及び基板処理装置

Inventor：
玉 置 直 樹

About 玉 置 直 樹

, 
佐 藤 裕 輔

About 佐 藤 裕 輔


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998245918
Publication number (International publication number)：2000077391
Application date： Aug. 31, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 所望のガスを用いて安全・高速で低コストのエッチングを実現するためのエッチング方法と基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 ClF3ガスを用いてエッチングする際に、同時にNOガスを供給することにより、プラズマレス・低コストで高速なシリコン窒化物のエッチングおよびクリーニングを行うことができ、特に気相成長法によってシリコン窒化膜を成膜する薄膜形成装置のin-situ(その場)クリーニングに有効である。
Claim (excerpt)：
処理容器の内部にClF3 ガスと共にNOガスを供給し、前記処理容器の内部に載置される被処理基板の表面、または前記処理容器の内部に付着する生成物をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31
FI (4)：
H01L 21/302 N ,  C23C 16/44 J ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/31 B
F-Term (81)：
4K030DA01 ,  4K057DA01 ,  4K057DA20 ,  4K057DB06 ,  4K057DB08 ,  4K057DB20 ,  4K057DD07 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE20 ,  4K057DG06 ,  4K057DG12 ,  4K057DG14 ,  4K057DM01 ,  4K057DN10 ,  5F004AA13 ,  5F004AA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB19 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F004BD07 ,  5F004CA01 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004DB15 ,  5F004DB17 ,  5F004DB18 ,  5F004FA01 ,  5F004FA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB33 ,  5F045AB40 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC18 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE02 ,  5F045AE03 ,  5F045AE05 ,  5F045AE07 ,  5F045AE09 ,  5F045AE11 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DP13 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ03 ,  5F045DQ04 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06 ,  5F045EB12 ,  5F045EB15 ,  5F045EK02 ,  5F045EK03 ,  5F045EK07 ,  5F045HA12 ,  5F045HA13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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