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J-GLOBAL ID：200903070387393742

プラズマ処理方法及び装置

Inventor： 森 政士 ,  田地 新一 ,  横川 賢悦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997102943
Publication number (International publication number)：1998242130
Application date： Apr. 21, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 シリコン酸化膜やシリコン窒化膜のエッチングガスである、PFC(パーフルオロカーボン)、HFC(ハイドロフルオロカーボン)は環境規制により、今後使用が制限もしくは入手が困難なことが予想される。【解決手段】 エッチングの原料ガスとして、フッ素を構成元素とするガスを導入し、プラズマ処理するその領域で、固体の状態の炭素112にフッ素を含むガスのプラズマを反応させ、CF4やCF2、CF3、C2F4などの分子状の化学種を生成し、この化学種でエッチングする。【効果】 プロセスウインドウを広く保ちながら、大きなエッチング速度、高選択性を得ることができる。

Claim (excerpt)：

処理室内にガスを導入する工程と、前記処理室内に設けられた所定の材料からなる固体の物質に電圧を印加する工程と、前記ガスをプラズマ化し、前記ガスと前記固体の物質とを反応させる工程と、前記プラズマにより前記処理室内に載置された被加工物を処理する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/203

FI (7)：

H01L 21/302 A ,  C23C 14/34 U ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/203 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 電磁RF結合を用いたプラズマ反応装置及びその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-340841   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-168992   Applicant：新日本製鐵株式会社
• エッチング装置およびエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-106758   Applicant：三菱電機株式会社
• プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-229189   Applicant：ソニー株式会社
• 処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-038507   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• ドライエツチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-292117   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• プラズマエッチング装置の制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-284206   Applicant：東京エレクトロン株式会社