電子素子の製造方法および電子素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005154953
Publication number (International publication number)：2006032914
Application date： May. 27, 2005
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：

【課題】有機半導体層との相性のよい電極を形成した電子素子の製造、及びその製造方法により製造された電子素子を提供する。【解決手段】基板上に有機半導体及び/または有機導電体の前駆体の層を形成し、該層を加熱して、有機半導体及び/又は有機導電体の前駆体を有機半導体及び/または有機導電体とすることにより、パターニングされた電極を形成することを特徴とする電子素子の製造方法、及び該製造方法により製造された電子素子。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板上に有機半導体及び/または有機導電体の前駆体の層を形成し、該層を加熱して、有機半導体及び/または有機導電体の前駆体を有機半導体及び/または有機導電体とすることにより、パターニングされた電極を形成することを特徴とする電子素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L 51/05 , H01L 21/28 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/861

FI (7)：

H01L29/28 , H01L21/28 301Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 616K , H01L29/78 616V , H01L29/91 G , H01L29/91 H

F-Term (55)：

4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104DD36 , 4M104DD51 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104DD92 , 4M104HH20 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110EE42 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF22 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK17 , 5F110HK32 , 5F110HK42 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

有機トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-402664 Applicant：株式会社東芝
有機電子デバイス及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-104639 Applicant：三菱化学株式会社
有機半導体材料及び有機電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-084816 Applicant：三菱化学株式会社

Cited by examiner (2)

特開平4-069971
有機半導体材料及び有機電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-084816 Applicant：三菱化学株式会社

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