Pat
J-GLOBAL ID：200903025676993884

電子素子の製造方法および電子素子

Inventor：
荒牧 晋司

About 荒牧 晋司

, 
芳山 龍一

About 芳山 龍一

, 
酒井 良正

About 酒井 良正


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005154953
Publication number (International publication number)：2006032914
Application date： May. 27, 2005
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：
【課題】 有機半導体層との相性のよい電極を形成した電子素子の製造、及びその製造方法により製造された電子素子を提供する。【解決手段】 基板上に有機半導体及び/または有機導電体の前駆体の層を形成し、該層を加熱して、有機半導体及び/又は有機導電体の前駆体を有機 半導体及び/または有機導電体とすることにより、パターニングされた電極を形成することを特徴とする電子素子の製造方法、及び該製造方法により製造された電子素子。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
基板上に有機半導体及び/または有機導電体の前駆体の層を形成し、該層を加熱して、有機半導体及び/または有機導電体の前駆体を有機半導体及び/または有機導電体とすることにより、パターニングされた電極を形成することを特徴とする電子素子の製造方法。
IPC (5)：
H01L 51/05 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/861
FI (7)：
H01L29/28 ,  H01L21/28 301Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/91 G ,  H01L29/91 H
F-Term (55)：
4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104DD36 ,  4M104DD51 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD92 ,  4M104HH20 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM