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J-GLOBAL ID：200903025701273093

強誘電体キャパシタ及びその製造方法、並びに半導体装置

Inventor：
松浦 修武

About 松浦 修武

, 
丸山 研二

About 丸山 研二

, 
高井 一章

About 高井 一章


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 廣田 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003002577
Publication number (International publication number)：2004214569
Application date： Jan. 08, 2003
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：
【課題】疲労特性が改善し、大容量の不揮発性メモリとして好適な強誘電体キャパシタ及びその効率的な製造方法、並びに、該強誘電体キャパシタを有する高性能な半導体装置の提供。【解決手段】一対の電極間に強誘電体を挟持させてなり、該強誘電体が、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ(RMS)が10nm以上である第1強誘電体層と、該第1強誘電体層上に形成され、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ(RMS)が5nm以下である第2強誘電体層とを有する強誘電体キャパシタである。一対の電極における一つの電極上に、第1強誘電体層が強誘電性を示す結晶化構造をとる結晶化温度以上の温度で該第1強誘電体層を形成した後、該第1強誘電体層の上に、第2強誘電体層が強誘電性を示す結晶化構造をとる結晶化温度未満の温度で該第2強誘電体層を形成する強誘電体キャパシタの製造方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
一対の電極間に強誘電体を挟持させてなり、該強誘電体が、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ(RMS)が10nm以上である第1強誘電体層と、該第1強誘電体層上に形成され、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ(RMS)が5nm以下である第2強誘電体層とを有することを特徴とする強誘電体キャパシタ。
IPC (4)：
H01L27/105 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316
FI (4)：
H01L27/10 444B ,  C23C14/08 N ,  C23C16/40 ,  H01L21/316 M
F-Term (44)：
4K029AA06 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA03 ,  4K030LA15 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF12 ,  5F058BF17 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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