アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：西山恵三 , 内尾裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007143431
Publication number (International publication number)：2008300518
Application date： May. 30, 2007
Publication date： Dec. 11, 2008
Summary：

【課題】電界効果移動度やS値などのトランジスタ特性に優れ、且つ対環境安定性に優れた電界効果トランジスタを提供する。さらには、構成原子の原子組成比率に依るトランジスタ特性の変化が少ない、原子組成比率のマージン(設計自由度)の大きな電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタであって、前記電界効果型トランジスタの活性層がInと、Znと、Nと、Oと、を含むアモルファス酸化物からなり、前記アモルファス酸化物中の前記Nの前記NとOに対する原子組成比率が0.01原子%以上3原子%以下であり、かつ、前記酸化物はGaを含まないか、Gaを含む場合には、前記酸化物に含まれるNの原子数よりも少なくする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

アモルファス酸化物であって、 Inと、Znと、Nと、Oと、を含み、前記アモルファス酸化物中の前記Nの前記NとOに対する原子組成比率が0.01原子%以上3原子%以下であり、かつ、前記酸化物は、Gaを含まないか、Gaを含む場合には、前記アモルファス酸化物に含まれるNの原子数よりも少ないことを特徴とするアモルファス酸化物。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (1)：

H01L29/78 618B

F-Term (32)：

5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-264885 Applicant：科学技術振興事業団
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325366 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-311701 Applicant：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド

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Cited by examiner (2)

薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-311701 Applicant：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-161961 Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社

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