カーボン膜の成膜方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺望稔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999083913
Publication number (International publication number)：2000272156
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】気相成膜法によってカーボン膜を成膜するに際し、ピンホールやクラックの極めて少ない、高品位なカーボン膜を得ることができるカーボン膜の成膜方法を提供する。【解決手段】カーボン膜の成膜系内の0.5μmパーティクル量を1000個立方フィート/min以下とした後に、成膜プロセスを開始することにより、前記課題を解決する。

Claim (excerpt)：

気相成膜によってカーボン膜を成膜するに際し、成膜系内の0.5μmパーティクル量を1000個立方フィート/min以下とした後に、成膜プロセスを開始することを特徴とするカーボン膜の成膜方法。

IPC (2)：

B41J 2/335 , H01L 21/314

FI (3)：

B41J 3/20 111 F , H01L 21/314 A , B41J 3/20 111 H

F-Term (15)：

2C065JF01 , 2C065JF04 , 2C065JF05 , 2C065JF16 , 2C065JH08 , 2C065JH11 , 5F058BA04 , 5F058BB06 , 5F058BD01 , 5F058BD10 , 5F058BD18 , 5F058BF07 , 5F058BF12 , 5F058BF26 , 5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

サーマルヘッドおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-111738 Applicant：富士写真フイルム株式会社
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-078099 Applicant：富士通株式会社
チャンバー内の堆積物のモニター方法,プラズマ加工方法,ドライクリーニング方法及び半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-116077 Applicant：松下電器産業株式会社

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