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J-GLOBAL ID：200903025789405407
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 信一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997138860
Publication number (International publication number)：1998335324
Application date： May. 28, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：
【要約】【課題】 絶縁層の比誘電率を従来に比べて低減することを可能にした半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に絶縁層2,4,7を介して導電層からなる下層配線3a〜3c及び上層配線6a,6bを設けた半導体装置の製造方法において、無機及び/又は有機樹脂を溶解した溶液を半導体基板1上に塗布し、この樹脂を高エネルギー線の照射により硬化させて絶縁層4を形成すると共に、その硬化開始以降に絶縁層4内でガスを発生せしめて絶縁層4を低密度化することにより、絶縁層4の比誘電率を2.7未満にする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に絶縁層を介して少なくとも1層の導電層からなる配線構造を設けた半導体装置の製造方法において、無機及び/又は有機樹脂を溶剤中に溶解した溶液を半導体基板上に塗布し、前記樹脂を高エネルギー線の照射により硬化させて絶縁層を形成すると共に、その硬化開始以降に該絶縁層内でガスを発生せしめることにより該絶縁層を低密度化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/316
, H01L 21/312
, H01L 21/768
H01L 21/316 P
, H01L 21/316 G
, H01L 21/312 C
, H01L 21/90 J
