Pat

J-GLOBAL ID：200903025871914069

III-V族化合物混晶の成長方法

Inventor： 下山 謙司 ,  後藤 秀樹
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995015174
Publication number (International publication number)：1996208395
Application date： Feb. 01, 1995
Publication date： Aug. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 低いV/III 比で窒素をふくむIII-V 族化合物、特にInGaN、InGaAlNを気相成長させる。【構成】 III 族元素源として有機金属を用いる気相成長法によりV族元素として窒素を含有するIII-V 族化合物混晶を成長させる方法において、下記一般式Iで表されるIII 族元素アミド化合物を用いるIII-V 族化合物混晶の成長方法。【化1】M(NR2 )3 (I)(式中、Mは、In、Al及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1種のIII 族元素を表し、Rは、炭素数1〜10個のアルキル基、アリール基及びアラルキル基並びにトリメチルシリル基及びトリエチルシリル基からなる群から選ばれる少なくとも1種の官能基を表す。)

Claim (excerpt)：

III 族元素源として有機金属を用いる気相成長法によりV族元素として窒素を含有するIII-V 族化合物混晶を成長させる方法において、下記一般式Iで表されるIII 族元素アミド化合物を用いることを特徴とするIII-V 族化合物混晶の成長方法。【化1】M(NR2 )3 (I)(式中、Mは、In、Al及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1種のIII 族元素を表し、Rは、炭素数1〜10個のアルキル基、アリール基及び選ばれる少なくとも1種の官能基を表す。)

IPC (6)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/085 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-055962   Applicant：株式会社東芝