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J-GLOBAL ID：200903025918400050

FIB-SEM装置における試料断面観察方法およびFIB-SEM装置

Inventor：
石本 透

About 石本 透


Applicant, Patent owner：
日本電子株式会社

About 日本電子株式会社


Agent (1)： 井島 藤治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998013945
Publication number (International publication number)：1999213935
Application date： Jan. 27, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 FIB加工した試料を装置の外に取り出すことなく、十分なコントラストで解像度良く走査電子顕微鏡により観察することができるFIB-SEM装置における試料断面観察方法およびFIB-SEM装置を実現する。【解決手段】 FIBカラム1内のイオン銃2からイオンビームを発生させ、イオンビームを試料7に照射して試料を加工する。この加工により開口を形成した後、ステージ18を180°回転させ、更にステージ18を大きく傾斜させる。このステージの回転と傾斜により、試料7の開口20の断面部分DをFIBカラム1に対面させることができる。この状態で試料7に照射するイオンビームの電流量を減少させる。この結果、試料の加工断面部分では、nm単位で断面表層の縦方向への加工を行うことができる。このような表面処理を行った後、試料の加工断面部分のSEM像を観察する。
Claim (excerpt)：
試料に集束イオンビームを照射する機能と、集束イオンビームによって加工された試料断面に電子ビームを照射して走査電子顕微鏡像を観察することができるSEM機能とを備えたFIB-SEM装置において、比較的大きな電流量のイオンビームを試料に照射して試料をエッチングして加工し、加工後試料を回転と傾斜させて加工断面をイオンビームに対面させ、加工断面に比較的小さな電流量のイオンビームを照射し、その後試料を回転と傾斜させて加工断面の走査電子顕微鏡像を観察するようにしたFIB-SEM装置における試料断面観察方法。
IPC (5)：
H01J 37/317 ,  G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  H01J 37/28 ,  H01L 21/66
FI (5)：
H01J 37/317 D ,  G01N 1/32 B ,  H01J 37/28 B ,  H01L 21/66 J ,  G01N 1/28 G
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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