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J-GLOBAL ID：200903026071774354
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松浦 兼行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996192247
Publication number (International publication number)：1998041276
Application date： Jul. 22, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 堆積物を除去するために、薬液を使用すると、配線材もエッチングされてしまい、いわゆる配線のくわれや細りが生じ、また局所的に配線材が過剰にエッチングされ、歩留の低下や信頼性の低下をもたらす。【解決手段】 スルーホール14を開口すると、スルーホール14の側壁に堆積物13が形成される。スルーホール開口後のウェハをイオンの入射方向に対して70°〜85°の角度を持たせた状態で下部電極上に保持した後、軸を中心に回転を与え、不活性ガスをチャンバ中に導入してイオンスパッタエッチングを実施する。これにより、(d)に示すように基板等にダメージを与えずに堆積物13を効率的に除去することができる。次に、PR12をアッシングすることにより、(e)に示すように、堆積物13の付着の無いスルーホール14が層間絶縁膜11に開口された半導体装置が得られる。
Claim (excerpt)：
基板上方のドライエッチングされた被エッチング物に形成された堆積物を除去する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記堆積物除去工程として、不活性ガスをイオン化し、そのイオンビームを前記被エッチング物に対して斜めに入射してエッチングするイオンスパッタエッチングを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065
, H01L 21/28
, H01L 21/3213
H01L 21/302 N
, H01L 21/28 F
, H01L 21/88 D
Cited by examiner (6)
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