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J-GLOBAL ID：200903026146351268

分子イオンエンハンストイオン源装置

Inventor：
松下 浩

About 松下 浩


Applicant, Patent owner：
住友イートンノバ株式会社

About 住友イートンノバ株式会社


Agent (1)： 後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998343324
Publication number (International publication number)：2000173486
Application date： Dec. 02, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：
【要約】【課題】 大電流のイオンを生成できる分子イオンエンハンストイオン源装置を提供すること。【解決手段】 プラズマチャンバ10の外側に間隔をおいて配置された一対のミラー電磁石11、12と、前記チャンバの外側であって前記一対のミラー電磁石の間に設けられた多極永久磁石装置20とを備える。前記一対のミラー電磁石と前記多極永久磁石装置とにより前記チャンバ内に閉じ込め磁場を形成すると共に、該磁場にイオン生成用のガスと2.45(GHz)のマイクロ波を導入することにより、前記チャンバの中心軸方向にイオンビームを生成する。
Claim (excerpt)：
筒状のプラズマチャンバの外周部に筒状の基体枠を配置構成すると共に、該筒状の基体枠の外周面に該基体枠の中心軸と平行な方向に固着配置された複数の棒状永久磁石による多極永久磁石装置を配設することにより多重極磁場を構成し、前記多極永久磁石装置の両端側であって前記基体枠の中心軸と平行な方向の両端側にそれぞれ端部枠を設け、該端部枠の外周側にミラーコイルまたは複数の棒状永久磁石によるミラー磁石を配設することにより一対のミラー磁場を構成し、該一対のミラー磁場と前記多重極磁場とにより、前記基体枠の内部の前記プラズマチャンバ内に閉じ込め磁場を形成すると共に、該磁場内となるプラズマチャンバ内にイオン生成用のガスとマイクロ波を導入し、前記プラズマチャンバの中心軸方向に一致する方向の閉じ込め磁場による特殊断面形状のプラズマを生成して、イオンビームを前記プラズマチャンバの一端側に設けた引き出し電極により引き出すように構成したことを特徴とする分子イオンエンハンストイオン源装置。
IPC (4)：
H01J 27/18 ,  H01J 37/08 ,  H05H 1/18 ,  H05H 1/46
FI (4)：
H01J 27/18 ,  H01J 37/08 ,  H05H 1/18 ,  H05H 1/46 C
F-Term (5)：
5C030DD02 ,  5C030DE01 ,  5C030DE07 ,  5C030DE08 ,  5C030DG03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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