高電子移動度トランジスタ及び電力増幅器

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000179544
Publication number (International publication number)：2001077353
Application date： Jun. 15, 2000
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】高出力で動作する反転型の窒素化合物系高電子移動度トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】電子蓄積層(11)と、前記電子蓄積層上に設けられたゲート電極(16)、ソース電極(17)及びドレイン電極(18)と、前記電子蓄積層下に設けられた電子供給層(13)と、前記電子供給層の下面と接する下地層(14)を有し、前記下地層の格子定数より前記電子供給層の格子定数が大きいことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

Claim (excerpt)：

電子蓄積層と、前記電子蓄積層上に設けられたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、前記電子蓄積層下に設けられた電子供給層と、前記電子供給層の下面と接する下地層を有し、前記下地層の格子定数より前記電子供給層の格子定数が大きいことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 29/80 H , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-104609 Applicant：ソニー株式会社
窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-335255 Applicant：天野浩, 赤崎勇, パイオニア株式会社, 豊田合成株式会社
GaN系半導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-340691 Applicant：豊田合成株式会社

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