GaN系半導体

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小西富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997340691
Publication number (International publication number)：1999163404
Application date： Nov. 25, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】 GaN系半導体層を2段階に成長させることなく当該GaN系半導体層の格子欠陥を減少させる。即ち、出来るだけ少ない工程で出来るだけ高品質のGaN系半導体を提供する。【解決手段】金属からなる基板又は導電性半導体と金属からなるバッファ層との積層体の上に基板又はバッファ層が部分的に露出するようにSiO2からなるパターン層が形成される。GaN系半導体層は露出した面から選択的に成長され、パターン層の上では横方向に成長し、その表面は平坦となる。

Claim (excerpt)：

金属からなる基板と、前記基板が部分的に露出するように形成されたパターン層と、露出した前記基板上に、前記パターン層を覆うように形成されたGaN系半導体層と、からなることを特徴とするGaN系半導体。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

化合物半導体構造およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-060669 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平4-303920
特開平3-133182

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