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J-GLOBAL ID：200903026230339427
半導体レーザ素子
松本 晃広
, About 松本 晃広
大林 健
About 大林 健
Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社
About シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996317202
Publication number (International publication number)：1998163561
Application date： Nov. 28, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 動作電流、動作電圧を増大させることなく、また、非点隔差、放射光の楕円率を増大させることのない低雑音特性を有する半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 ストライプ構造で形成した電流狭窄構造を有する自励発振型の半導体レーザ素子において、活性層が多重量子井戸構造であり、多重量子井戸型活性層を構成する量子井戸層の層厚の合計が700Å以上1000Å以下とすることで上記問題を解決する。また、活性層の上部量子障壁層と下部量子障壁層の禁制帯幅が、その間にある量子障壁層の禁制帯幅よりも小さいことでより高い効果が得られる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型のクラッド層を有し、前記第2導電型のクラッド層はストライプ形状を有し、前記ストライプ形状の両側部に電流光閉じ込め手段を有し、前記活性層は量子井戸層と量子障壁層とを交互に複数積層した多重量子井戸活性層からなる自励発振型の半導体レーザ素子において、前記量子井戸層の層厚の合計が700Å以上1000Å以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
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