半導体レーザ素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡田敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995068269
Publication number (International publication number)：1996264902
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】低発振しきい値電流を有し、且つ自励発振可能な半導体レーザ素子を提供することが目的である。【構成】 n型AlGaInP系クラッド層3上に形成された、引張り歪みを有するAlGaInP系又はGaInP系量子井戸層5aと圧縮歪みを有するAlGaInP系量子障壁層5bが交互に積層されてなる量子井戸構造を有する活性層5と、この活性層5上に形成されたストライプ状のリッジ部7cを有するp型AlGaInP系クラッド層7と、このリッジ部7c上面の一部を少なくとも除いてp型クラッド層7上に形成されたn型電流阻止層11、11と、を備え、上記各量子井戸層5aの歪み量と層厚との積の和と、上記各量子障壁層5bの歪み量と層厚との積の和との合計値である歪積算量Δが-7×10-10m〜-1.88×10-10mであり、各量子井戸層5aの層厚の和と量子障壁層5bの層厚との和の合計値tが0.07μm以上0.15μm以下であると共に、活性層5と電流阻止層11の間の最短距離dが0.27μm以上0.44μm以下である。

Claim (excerpt)：

第1導電型のAlGaInP系クラッド層と、該第1導電型のクラッド層上に形成された、引張り歪みを有するAlGaInP系又はGaInP系量子井戸層と圧縮歪みを有するAlGaInP系量子障壁層が交互に積層されてなる量子井戸構造を有する活性層と、該活性層上に形成された第2導電型のAlGaInP系クラッド層と、該第2導電型のクラッド層上に形成された所定幅Wのストライプ状の電流通路部を有する第1導電型の電流阻止層と、を備え、上記各量子井戸層の歪み量と層厚との積の和と、上記各量子障壁層の歪み量と層厚との積の和との合計値である歪積算量Δが-7×10-10mより大-1.88×10-10mより小であり、該各量子井戸層の層厚の和と該各量子障壁層の層厚との和の合計値tが0.07μm以上0.15μm以下であると共に、上記活性層と上記電流阻止層の間の最短距離dが0.27μm以上0.44μm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-346629 Applicant：三洋電機株式会社
半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-336373 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-056379 Applicant：富士通株式会社

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