基板表面処理方法及び装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002254325
Publication number (International publication number)：2004089848
Application date： Aug. 30, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【課題】ICチップ内の回路の高集積化に伴って、ICチップ上に形成される電極間のさらなる狭ピッチ化が進み、イオンマイグレーションに起因する配線の劣化や短絡の問題が生じる。【解決手段】反応室12内の真空度を120Paに保った状態で、高周波電極16に100W(パワー密度は0.32W/cm2)の高周波を印加して、CF4ガスプラズマでモジュール基板15を処理することにより、効率的にフッ素を含有した膜を成膜し、モジュール基板15表面をフッ素を含有した膜で被覆して、金や銅配線の腐食やFPC2の基板電極9間のイオンマイグレーションを防止する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

回路基板に対してフロロカーボン系のガスを用いてプラズマ処理して前記回路基板表面に膜を形成することを特徴とする基板表面処理方法。

IPC (3)：

B08B5/00 , B08B7/00 , H05K3/26

FI (3)：

B08B5/00 Z , B08B7/00 , H05K3/26 A

F-Term (16)：

3B116AA01 , 3B116BB22 , 3B116BC01 , 3B116CD11 , 3B116CD31 , 5E343AA26 , 5E343AA33 , 5E343BB17 , 5E343BB23 , 5E343BB24 , 5E343BB44 , 5E343EE08 , 5E343EE36 , 5E343EE46 , 5E343FF23 , 5E343GG11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ベアチップ搭載用基板の表面処理方法およびその方法を用いたベアチップ搭載用基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-357121 Applicant：日立化成工業株式会社
特開平4-219901
表面洗浄法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-066588 Applicant：三井化学株式会社

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