液晶素子とその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池内寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996040113
Publication number (International publication number)：1997230359
Application date： Feb. 27, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】クロストークの低減のためには、電極を低抵抗化することが効果的であり、電極を低抵抗化する方法として金属薄膜を電極の一部として形成する方法があるが、金属薄膜を細線化する事が困難であるため、開口率を落とすことなく低抵抗化することが難しかった。【解決手段】液晶層を狭持する2枚の基板の少なくとも一方11に所定の幅のストライプ形状の金属薄膜12を形成し、金属薄膜形成部を含む基板全面に透明電極13を形成し、透明電極13と金属薄膜12とが積層された構造のストライプ状金属薄膜12の幅方向ほぼ中央部にエッチングによって所定幅のストライプ状の無電極領域15を形成する。これによって、透明電極の幅方向の両側に沿って金属薄膜による低抵抗領域が形成され、これら2本の低抵抗領域の幅の和(L1+L2)が、基板上の全てのストライプ状透明電極間で互いに等しい。

Claim (excerpt)：

液晶層を狭持する2枚の基板の少なくとも一方にストライプ状の透明電極を有する液晶素子において、透明電極の幅方向の両側に沿って低抵抗領域が設けられていることを特徴とする液晶素子。

IPC (3)：

G02F 1/1343 , G02F 1/133 500 , G02F 1/1333 500

FI (3)：

G02F 1/1343 , G02F 1/133 500 , G02F 1/1333 500

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平1-227126
特開平4-107531
液晶表示装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-262055 Applicant：株式会社日立製作所

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