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J-GLOBAL ID：200903026357711520

低熱膨張高剛性セラミックス

Inventor： 井原 俊之
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999090758
Publication number (International publication number)：2000281454
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 10, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】半導体製造プロセスにおける露光装置の部品等に適した低熱膨脹高剛性セラミックスを提供する。【解決手段】負の熱膨脹特性を有するLiAlSiO4と、正の熱膨脹特性を有し、かつ高剛性特性を有するSi3N4又はSiCと、MgOの3成分で構成する。

Claim (excerpt)：

LiAlSiO4 と、Si3 N4 又はSiCと、MgOの3成分から成ることを特徴とする低熱膨張高剛性セラミックス。

IPC (3)：

C04B 35/657 ,  C04B 35/565 ,  C04B 35/584

FI (3)：

C04B 35/62 D ,  C04B 35/56 101 B ,  C04B 35/58 102 B

F-Term (11)：

4G001BA01 ,  4G001BA06 ,  4G001BA22 ,  4G001BA32 ,  4G001BB01 ,  4G001BB06 ,  4G001BB22 ,  4G001BB32 ,  4G001BD05 ,  4G001BD11 ,  4G001BD18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平3-290352
  
• 特開昭64-042366
  

Cited by examiner (8)

• 低熱膨張セラミックスおよびその製造方法、並びに半導体製造用部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-234635   Applicant：京セラ株式会社
• 特開平3-290352
  
• 低熱膨張性シリカ含浸セラミックス大平板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082950   Applicant：ニチアス株式会社
• 位置決め装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-077903   Applicant：京セラ株式会社
• 特開昭62-202813
  
• 特公昭49-040123
  
• 特開昭56-092168
  
• 特開昭55-109279