Pat
J-GLOBAL ID:200903026435503319

半導体素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小川 勝男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996147005
Publication number (International publication number):1997330970
Application date: Jun. 10, 1996
Publication date: Dec. 22, 1997
Summary:
【要約】【課題】中間工程検査の品質データと歩留まり低下に寄与する割合の相関を明確とすることである。【解決手段】検査装置3で処理工程毎に検出した品質データと完成ウエハの歩留まりデータとを蓄積部4に蓄積し、蓄積されたデータを歩留まり低下寄与率算出手段5で統計処理する。
Claim (excerpt):
複数の処理工程からなる半導体素子の製造プロセスにおいて、処理工程毎に品質データが検出可能な一つ以上の検査装置を備え、(イ)同一ウェハの全部または一部の品質データを処理工程毎に検出して、上記品質データを蓄積する手段と、(ロ)(イ)の被検査部の歩留まりが判明した後に、蓄積してある上記品質データを基に、処理工程毎の歩留まり低下寄与率を算出して、上記歩留まり低下寄与率を蓄積する手段とを有し、(ハ)(ロ)で蓄積された歩留まり低下寄与率と、(イ)で検出された品質データを用いることにより、現在進行中の処理工程ならびに製品に関する品質情報を加工し、上記品質情報を利用することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (4):
H01L 21/66 ,  G06F 17/60 ,  G11C 29/00 303 ,  H01L 21/02
FI (4):
H01L 21/66 Z ,  G11C 29/00 303 Z ,  H01L 21/02 Z ,  G06F 15/21 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page