ZnO系半導体素子

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：三好秀和 , 寺山啓進 , 三好広之 , 伊藤市太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008021953
Publication number (International publication number)：2008211203
Application date： Jan. 31, 2008
Publication date： Sep. 11, 2008
Summary：

【課題】上述した課題を解決するために創案されたものであり、ZnO系半導体と有機物とを能動的な役割に用い、従来とは異なる全く新規な機能を有するZnO系半導体素子を提供する。【解決手段】ZnO系半導体1上に有機物電極2が形成されており、有機物電極2の上にはAu膜3が形成されている。ZnO系半導体1の裏面には有機物電極2に対向するように、Ti膜4とAu膜5の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極2とZnO系半導体1との接合界面は、pn接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ZnO系半導体に接して有機物電極が形成され、前記ZnO系半導体と有機物電極との間で整流特性を有することを特徴とするZnO系半導体素子。

IPC (6)：

H01L 31/10 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 29/423

FI (4)：

H01L31/10 H , H01L29/80 H , H01L21/28 301B , H01L29/58 Z

F-Term (32)：

4M104AA06 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104FF13 , 4M104GG05 , 4M104GG12 , 5F049MA02 , 5F049MB01 , 5F049NA20 , 5F049SE05 , 5F049SE06 , 5F049SE12 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ01 , 5F102GL01 , 5F102GM01 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102GT10 , 5F102HC07 , 5F102HC11 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

縦型トランジスタおよび発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-092273 Applicant：株式会社リコー

Cited by examiner (4)

特開平4-302173
特開平4-302173
半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-335898 Applicant：国立大学法人東北大学

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