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J-GLOBAL ID：200903079393936690

半導体素子

Inventor：
川崎 雅司

About 川崎 雅司

, 
齊藤 肇

About 齊藤 肇


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社

, 
川崎 雅司

About 川崎 雅司


Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001230365
Publication number (International publication number)：2003046081
Application date： Jul. 30, 2001
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体層の性能を十分に発揮することができる半導体素子を提供する。【解決手段】 半導体素子は、エピタキシャル成長で形成された半導体層11と、この半導体層11上にエピタキシャル成長で形成され、半導体層11より広いバンドギャップを有する酸化物障壁層12とから成る積層構造を備えている。上記半導体層11と酸化物障壁層12との間に電圧を印加することによって、酸化物障壁層12に接する半導体層11の界面に高移動度のキャリアガスを生ぜしめる。
Claim (excerpt)：
エピタキシャル成長で形成された酸化亜鉛系または窒化物系半導体層と、上記半導体層上にエピタキシャル成長で形成され、上記半導体層より広いバンドギャップを有する酸化物障壁層とから成る積層構造を備え、上記半導体層と上記酸化物障壁層との間に電圧を印加することによって、上記酸化物障壁層に接する上記半導体層の界面に高移動度のキャリアガスを生ぜしめることを特徴とする半導体素子。
IPC (8)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/327
FI (7)：
H01L 33/00 D ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/327 ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/80 H
F-Term (43)：
5F041AA21 ,  5F041AA24 ,  5F041CA08 ,  5F041CA12 ,  5F041CA41 ,  5F073AA89 ,  5F073AB17 ,  5F073CA22 ,  5F073EA14 ,  5F073EA23 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GL01 ,  5F102GM01 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ03 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC04 ,  5F110DD01 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG42 ,  5F140AA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA10 ,  5F140BA16 ,  5F140BC12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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