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J-GLOBAL ID：200903026502020751

ダイオード

Inventor： 西澤 潤一 ,  由良 昌士
Applicant, Patent owner： 財団法人半導体研究振興会 ,  東洋電機製造株式会社
Agent (1)： 中村 和年
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995245201
Publication number (International publication number)：1997069637
Application date： Aug. 31, 1995
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 良好な逆方向電流電圧特性を有すると共に高速でソフトな逆回復特性のダイオードを提供することである。【解決手段】 本発明によるダイオードは、n型半導体基板11の一方の主表面に設けられアノード領域となるn+層12a〜dと、他の主表面に設けられカソード領域となる表面p+層13a〜dと、各表面p+層13a〜dの直下に位置すると共に接触若しくは重なり合う様にn型半導体基板11の内部に設けられた埋込みp+層14a〜dと、前記一方の主表面上に設けられたアノード電極15と、前記他の主表面上に設けられたカソード電極16とからなる。

Claim (excerpt)：

一対の主表面を有する一導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の一方の主表面から選択的に設けられた反対導電型の複数の第2の半導体層と、前記複数の第2の半導体層の直下にそれぞれ位置するように前記第1の半導体層の内部に設けられた反対導電型の複数の第3の半導体層とを有することを特徴とするダイオード。

IPC (3)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/872

FI (3)：

H01L 29/91 D ,  H01L 21/322 L ,  H01L 29/48 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 整流用半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-203969   Applicant：新電元工業株式会社
• 埋込み構造もしくは切込み構造を有する静電誘導ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-210751   Applicant：玉蟲尚茂, 東洋電機製造株式会社