半導体熱処理用ダミーウエハ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：赤野牧子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995322329
Publication number (International publication number)：1997139329
Application date： Nov. 15, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】耐熱性、耐食性に優れ再生再使用が可能なガラス状カーボン材製のダミーウエハを半導体熱処理工程で用いる際、熱処理成膜組成物とガラス状カーボン材との熱膨張率に多少の差がある場合でも、ダストの発生を防止する。【解決手段】 3.0〜3.5×10-6/°Cである熱膨張係数を有する、及び/または、少なくとも一面の表面粗さRaが3〜30μmに形成されるガラス状カーボン材で形成されることを特徴とする半導体熱処理用ダミーウエハ。このダミーウエハは、成膜組成物がポリシリコン膜である半導体成膜処理工程に好適に用いることができる。

Claim (excerpt)：

半導体熱処理用のダミーウエハであって、熱膨張係数が3.0〜3.5×10-6/°Cであるガラス状カーボン材で形成されてなることを特徴とする半導体熱処理用ダミーウエハ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-345019
半導体用部材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-173565 Applicant：東芝セラミックス株式会社
成膜方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-241906 Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社, 日立電子エンジニアリング株式会社

Show all

Return to Previous Page