半導体ウエハダミー、その製造方法及び前記半導体ウエハダミーによるプラズマエッチングチャンバー内等の清浄方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小林雅人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994054645
Publication number (International publication number)：1995240401
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】従来技術の難点を解決し、加工も高純度化も可能で、粉体が脱落するという難点もなく、しかも安価に提供することのできるプラズマエッチングにおけるウエハダミーを提供することを目的とする。【構成】本発明のウエハダミーは、実質的にガラス状カーボンで構成されていることを特徴とするものであり、又、本発明のウエハダミーの製造方法の構成は、主として炭素化することによりガラス状カーボンを与える素材よりなる組成物をウエハダミーの形状に成形し、次いで炭素化することを特徴とするものであり、更に、本発明のプラズマエッチングチャンバー内等の清浄方法の構成は、プラズマエッチング装置のチャンバー内に、前記ウエハダミーを取り付け、次いで前記チャンバー内にプラズマを発生させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

実質的にガラス状カーボンで構成されていることを特徴とする半導体ウエハダミー。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

気相成長装置及び装置内のクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-223906 Applicant：株式会社東芝
プラズマエッチング用電極板及び治具
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-179256 Applicant：日清紡績株式会社
半導体製造装置の清浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-088599 Applicant：富士通株式会社

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