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J-GLOBAL ID：200903026599876167

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法

Inventor：
原 通子

About 原 通子

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大沢 裕一

About 大沢 裕一

, 
與田 博明

About 與田 博明


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997060297
Publication number (International publication number)：1997305931
Application date： Mar. 14, 1997
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：
【要約】【課題】 シールド型MRヘッドにおいて、狭ギャップ化に対応した形状で、狭トラックを正確に規定することを可能にする。【解決手段】 再生トラックTR となる磁界応答部を有するMR膜の上側には、センス電流を供給する一対のリード17が設けられている。この一対のリード17の磁界応答部側端部には、MR膜15側に設けられ、MR膜15表面に対して急峻な角度θを有する第1のテーパ部17aと、この第1のテーパ部17aから連続して設けられ、MR膜15表面に対してなだらかな角度φを有する第2のテーパ部17bとを少なくとも有する多段テーパ部がそれぞれ設けられている。MR膜15は、下側および上側再生磁気ギャップ膜14、18をそれぞれ介して配置された下側および上側磁気シールド層13、19により挟持されている。
Claim (excerpt)：
第1の磁気シールド層と;この第1の磁気シールド層上に配置された第1の磁気ギャップ層と;この第1の磁気ギャップ層上に形成された磁界応答部を有する磁気抵抗効果膜と;この磁気抵抗効果膜に磁気バイアスを印加するように配置された一対の磁気バイアス層と;この磁気抵抗効果膜にセンス電流を印加するように配置された一対のリードと;前記磁気抵抗効果膜、磁気バイアス層及びリードの積層体を覆うように配置された第2の磁気ギャップ層と;前記第2の磁気ギャップ層上に形成された第2の磁気シールド層とを具備し、前記一対のリードの前記磁界応答部側の端部には、前記磁気抵抗効果膜表面に対して角度θを有する第1のテーパ部と、前記第1のテーパ部から連続して設けられ、前記磁気抵抗効果膜表面に対して角度φ(但しθ>φ)を有する第2のテーパ部とを有する多段テーパ部がそれぞれ設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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