半導体装置の作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999176127
Publication number (International publication number)：2001007335
Application date： Jun. 22, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をTFTのチャネル形成領域に用いることにより高速動作が可能なTFTを実現することを目的とする。【解決手段】基板901上に下地膜902、非晶質半導体膜903、第1の保護絶縁膜904を形成し、透光性を有する熱伝導層905を選択的に設ける。そして、レーザーアニールにより非晶質半導体膜を結晶化させる。熱伝導層905は半導体膜からの熱の流出速度を制御する機能を有し、基板901上の温度分布の差を利用して熱伝導層905が形成される領域を中心とした結晶質半導体膜を形成する。

Claim (excerpt)：

ガラス基板に密接して形成された熱伝導率が10Wm-1K-1以下である絶縁膜から成る下地膜を形成する工程と、前記絶縁膜から成る下地膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、前記非晶質半導体膜上に第1の保護絶縁層を形成する工程と、前記第1の保護絶縁層上に熱伝導率が10Wm-1K-1以上である熱伝導層を選択的に形成する工程と、前記第1の保護絶縁層および前記熱伝導層上からレーザー光を照射して、前記非晶質半導体膜を結晶化させ、前記熱伝導層を中心とした結晶粒を有する結晶質半導体膜を形成する工程と、前記結晶質半導体膜を選択的にエッチングして、単結晶構造を有する島状半導体膜を形成する工程と、前記単結晶構造を有する島状半導体膜を水素化して、水素が添加された単結晶構造を有する島状半導体膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 626 C , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 E

F-Term (88)：

2H092HA28 , 2H092JA25 , 2H092KA02 , 2H092KA03 , 2H092KA05 , 2H092KA10 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA27 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092PA01 , 2H092PA06 , 2H092RA05 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DA10 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052FA06 , 5F052FA07 , 5F052FA21 , 5F052JA01 , 5F052JA10 , 5F110AA08 , 5F110AA19 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD15 , 5F110DD24 , 5F110EE01 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE15 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP23 , 5F110PP24 , 5F110PP34 , 5F110QQ11 , 5F110QQ25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-067983 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-344495 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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