半導体装置およびその作製方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995344495
Publication number (International publication number)：1997162405
Application date： Dec. 04, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【目的】信頼性の高いTFTの作製方法を提供する。【構成】ゲイト絶縁型電解効果半導体装置において、チャネル形成領域をSiOx Ny からなる薄膜によって囲み、ガラス基板や大気からの不純物の拡散を防止する。こうすることで、BT試験のような加速試験においても高い信頼性が得られる。

Claim (excerpt)：

絶縁ゲイト型電界効果半導体装置であって、絶縁表面を有するガラス基板上に形成された絶縁性薄膜を有し、ガラスに接した前記絶縁性薄膜はSiOX Ny で示される薄膜であることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

非発光型ディスプレーを有する電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-329652 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-131377 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭56-111258

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