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J-GLOBAL ID:200903026721724829

近接場プローブおよび近接場プローブ製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 鈴江 武彦 ,  鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000348123
Publication number (International publication number):2002148174
Application date: Nov. 15, 2000
Publication date: May. 22, 2002
Summary:
【要約】【課題】背景光の発生が少ない近接場プローブを提供する。【解決手段】近接場プローブ10は、支持部12から延びる片持ちのレバー部14を有し、レバー部14は先端に探針16を有している。レバー部14は例えば窒化シリコン膜22と散乱体形成薄膜24とから成り、散乱体形成薄膜24は探針16の先端に位置する部分に球状の散乱体26を含んでいる。近接場プローブ10は、一般に市場から入手可能なSiN製のAFMカンチレバーの探針の表面に散乱体形成薄膜24を被覆し、探針16の先端に焦点を結ぶようにレーザー光やイオンビーム等の活性光を探針16の軸線上から照射して作製され、活性光の照射により散乱体形成薄膜24の内部に散乱体26が形成される。散乱体形成薄膜24は例えばZnS-SiO2/Ag2O/ZnS-SiO2の多層膜である。
Claim (excerpt):
近接場顕微鏡または近接場光記録装置に用いられるプローブであり、上記プローブの先端および側面が熱的に非線型応答を示す物質で被覆されており、上記被覆は先端部分において、熱的に化学反応を起こすことにより形成された散乱体を有することを特徴とする近接場プローブ。
IPC (3):
G01N 13/14 ,  G01B 11/30 ,  G01N 13/10
FI (3):
G01N 13/14 B ,  G01B 11/30 Z ,  G01N 13/10 G
F-Term (6):
2F065AA25 ,  2F065AA49 ,  2F065DD04 ,  2F065FF01 ,  2F065PP24 ,  2F065UU07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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