基板処理装置及び基板処理方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大森純一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001177686
Publication number (International publication number)：2002083859
Application date： Jun. 12, 2001
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】割れの発生が少ない、耐久性が向上したプレートが配置された基板処理装置を提供すること。【解決手段】複数に分割されて形成され、ウエハWを保持するプレート343と、このプレート343に保持されたウエハWを加熱処理するヒータとを具備する。このプレート343を、互いに分離された複数の分割プレート343a〜343iから形成することにより、プレート343は激しい温度変化を経ても割れにくく、プレート343の耐久性を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

複数に分割されて形成され、基板を保持するプレートと、前記プレートに保持された基板を加熱処理するヒータとを具備することを特徴とする基板処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/68 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/68 N , H01L 21/30 567

F-Term (25)：

5F031CA02 , 5F031DA01 , 5F031FA07 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031FA15 , 5F031GA03 , 5F031GA06 , 5F031GA48 , 5F031GA49 , 5F031HA08 , 5F031HA33 , 5F031HA37 , 5F031HA38 , 5F031JA45 , 5F031KA03 , 5F031MA02 , 5F031MA03 , 5F031MA04 , 5F031MA26 , 5F031NA04 , 5F031NA07 , 5F031NA11 , 5F031PA11 , 5F046KA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-197101 Applicant：株式会社東芝
面状ヒータ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-026186 Applicant：東芝セラミックス株式会社, 東芝機械株式会社
静電チャック
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-354709 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社

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