Pat
J-GLOBAL ID:200903026905728550
発光装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001165710
Publication number (International publication number):2002359403
Application date: May. 31, 2001
Publication date: Dec. 13, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】信頼性に優れた高輝度に発光することが可能な発光装置を提供する。【解決手段】厚さ方向に少なくとも2つの貫通孔を有し、一方の貫通孔内に絶縁部材3を介してリード電極2が挿入され、他方の貫通孔内にヒートシンク5が挿入されてなる金属ベース10を具備し、前記ヒートシンクに接して発光素子1が配置されてなる発光装置であって、前記リード電極と前記ヒートシンクの底面側端部はそれぞれ前記金属ベースの背面から突出しており、且つ前記リード電極の底面と前記ヒートシンクの底面はほぼ同一平面上にあることを特徴とする。
Claim (excerpt):
厚さ方向に少なくとも2つの貫通孔を有し、一方の貫通孔内に絶縁部材を介してリード電極が挿入され、他方の貫通孔内にヒートシンクが挿入されてなる金属ベースを具備し、前記ヒートシンクに接して発光素子が配置されてなる発光装置であって、前記リード電極と前記ヒートシンクの底面側端部はそれぞれ前記金属ベースの背面から突出しており、且つ前記リード電極の底面と前記ヒートシンクの底面はほぼ同一平面上にあることを特徴とする発光装置。
F-Term (15):
5F041AA11
, 5F041AA33
, 5F041DA19
, 5F041DA33
, 5F041DA35
, 5F041DA36
, 5F041DA39
, 5F041DA43
, 5F041DA62
, 5F041DA63
, 5F041DA64
, 5F041DA73
, 5F041DA76
, 5F041EE25
, 5F041FF11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
-
半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-237492
Applicant:株式会社東芝
-
特開昭61-202484
-
発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-241449
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
半導体レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-223191
Applicant:富士電機株式会社
-
オプトエレクトロニック半導体部品およびその製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平9-513055
Applicant:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
-
特開昭58-073170
-
表面実装型LEDの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-359886
Applicant:スタンレー電気株式会社
-
発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-002356
Applicant:松下電子工業株式会社
-
特開昭62-183191
Show all
Return to Previous Page