磁気メモリ用途のための応力支援による電流駆動式スイッチング

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：恩田博宣 , 恩田誠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006539853
Publication number (International publication number)：2007513501
Application date： Nov. 12, 2004
Publication date： May. 24, 2007
Summary：

磁気メモリを提供するための方法及びシステム。本方法及びシステムは、複数の磁気素子を設けること、少なくとも1つの応力支援層を設けること、を含む。複数の磁気素子の各々は、スピン転移を用いて書き込まれるように構成されている。少なくとも1つの応力支援層は、書き込み時、複数の磁気素子の少なくとも1つの磁気素子に少なくとも1つの応力を及ぼすように構成されている。書き込み時、応力支援層によって磁気素子に及ぼされる応力により、スピン転移スイッチング電流が低減される。スイッチング電流が一旦オフになると、2つの磁化状態間のエネルギ障壁が変化しないことから、熱変動に対する磁気メモリの安定性が損なわれることはない。

Claim (excerpt)：

磁気メモリであって、複数の磁気素子であって、前記複数の磁気素子の各々がスピン転移を用いて書き込まれるように構成された、前記複数の磁気素子と、書き込み時、前記複数の磁気素子の少なくとも1つの磁気素子に少なくとも1つの応力を及ぼすように構成された少なくとも1つの応力支援層と、を備える磁気メモリ。

IPC (3)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (2)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z

F-Term (30)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD02 , 4M119DD05 , 4M119DD08 , 4M119DD55 , 4M119EE03 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 5F092AA01 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB31 , 5F092BB35 , 5F092BB42 , 5F092BB53 , 5F092BB81 , 5F092BB82 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC13 , 5F092EA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電圧を利用した強磁性薄膜の磁化容易軸制御方法及びこれを利用した磁気メモリーとその情報記録方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-343023 Applicant：コリアアドバンストインスティテュートオブサイエンスアンドテクノロジー, ソウルナショナルユニバーシティ
遊技機
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-223697 Applicant：株式会社竹屋
磁化駆動方法、磁気機能素子および磁気装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-264629 Applicant：ソニー株式会社

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