圧電体薄膜およびその製造法ならびにそれを用いたインクジェット記録ヘッド

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996032346
Publication number (International publication number)：1997223830
Application date： Feb. 20, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：

【要約】【課題】良好な特性、例えば高い誘電率と高い圧電ひずみ定数、を有する圧電体薄膜、およびアニール時にクラックの発生のないその製造法を提供する。【解決手段】本発明による圧電体薄膜は、膜表面で観察される結晶粒の面積平均が0.1μm2 以上であり、かつ薄膜断面に層状の不連続面を有さないものである。また、このような圧電体薄膜は、ゾルゲル法であって、圧電体膜を構成する金属成分のゾルと、高分子化合物とを含んでなるゾル組成物を、基板上に塗布し、乾燥させて膜を形成し、得られた膜を焼成して、非晶質の金属酸化物からなる多孔質ゲル薄膜を形成する仮焼成工程と、この多孔質ゲル薄膜をアニールして、該膜を結晶質の複合金属酸化物からなる膜とするプレアニール工程と、上記工程を少なくとも一回以上繰り返し、結晶質の金属酸化物の積層膜を形成する工程と、得られた積層膜をアニールして、該膜中のペロブスカイト型の結晶粒を大きく成長させる工程とを含んでなる。

Claim (excerpt)：

膜表面で観察される結晶粒の面積平均が0.1μm2 以上であり、かつ薄膜断面に層状の不連続面を有さない、圧電体薄膜。

IPC (6)：

H01L 41/187 , B41J 2/045 , B41J 2/055 , H01L 21/324 , H01L 41/09 , H01L 41/24

FI (5)：

H01L 41/18 101 D , H01L 21/324 Z , B41J 3/04 103 A , H01L 41/08 C , H01L 41/22 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

圧電体、強誘電体薄膜素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-258399 Applicant：セイコーエプソン株式会社
圧電体、強誘電体薄膜素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-258400 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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