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J-GLOBAL ID：200903026969124283

カーボンナノチューブゲート電界効果トランジスタとその製造方法、及び微細パターン形成方法

Inventor：
粟野 祐二

About 粟野 祐二


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001305566
Publication number (International publication number)：2003109974
Application date： Oct. 01, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】 寸法の揺らぎのない微細ゲートを備えた電界効果トランジスタと、そのような微細構造の形成を可能にする微細パターン形成方法を提供すること。【解決手段】 キャリヤを供給するソース21と、キャリヤを受け取るドレイン22と、それらの間の電流通路であるチャネルの導電率を変化させるゲート23を含む電界効果トランジスタにおいて、ゲート23として、金属性のカーボンナノチューブで作られたものを使用する。一方、寸法の揺らぎのないカーボンナノチューブをパターニングのマスクとして用いることで、微細パターンを容易に形成することができる。
Claim (excerpt)：
キャリヤを供給するソースと、キャリヤを受け取るドレインと、それらの間の電流通路であるチャネルの導電率を変化させることによりチャネルを流れる電流を制御する電流制御電極としてのゲートを含む電界効果トランジスタであって、当該ゲートが金属性のカーボンナノチューブで作られていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (10)：
H01L 21/338 ,  C23C 16/26 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/06 601 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (9)：
C23C 16/26 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/285 C ,  H01L 29/06 601 N ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 M ,  H01L 29/50 J ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/62 Z
F-Term (40)：
4K030BA27 ,  4K030FA17 ,  4K030JA14 ,  4M104AA04 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104DD43 ,  4M104DD46 ,  4M104DD52 ,  4M104DD68 ,  4M104DD71 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG12 ,  5F004AA09 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DB08 ,  5F004EA05 ,  5F004EB02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL20 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS03 ,  5F102GS07 ,  5F102GT01 ,  5F102GT05 ,  5F102GT10 ,  5F102GV07 ,  5F102HC24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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