電界効果トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001204182
Publication number (International publication number)：2003017508
Application date： Jul. 05, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【目的】非常に高い周波数のデジタル電気信号あるいはアナログ電気信号を制御あるいは増幅するための電界効果トランジスタを提供する。【構成】基板の上に設置されたチャネルと、チャネルの始端に接続されたソース電極と、チャネルの終端に接続されたドレイン電極と、チャネルの上あるいは側面に設置された絶縁体と、絶縁体を介してチャネルの上あるいは側面に設置されたゲート電極からなる電界効果トランジスタにおいて、チャネルが複数のカーボンナノチューブにより構成される事を特徴とする電界効果トランジスタ。

Claim (excerpt)：

荷電粒子が走行するチャネルと、それぞれチャネルの一部に接続されるソース領域、ドレイン領域と、チャネルと電磁気的に結合するゲート電極からなる電界効果トランジスタにおいて、チャネルがカーボンナノチューブで構成される事を特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 21/338 , H01L 29/06 601 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 29/812 , H01L 51/00

FI (5)：

H01L 29/06 601 N , H01L 29/80 B , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 618 B , H01L 29/28

F-Term (50)：

5F102FB10 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC02 , 5F102GD01 , 5F102GD02 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GL02 , 5F102GL08 , 5F102GM02 , 5F102GR06 , 5F102GT10 , 5F110AA01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE29 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG01 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG41 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F140AA01 , 5F140AA07 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB00 , 5F140BB01 , 5F140BB15 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

電流制御素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-064100 Applicant：株式会社日立製作所
異物質内包カーボンナノチューブとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-341747 Applicant：日本電気株式会社
カーボンナノチューブ細線およびスイッチ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-174006 Applicant：日本電気株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Nanotube Nanoelectronics

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