光半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：豊栖康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998018208
Publication number (International publication number)：1999204808
Application date： Jan. 13, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】製造歩留まりを高くできる光半導体素子を提供する。【解決手段】透光性基板の一方の主面に活性層を含む半導体層と正電極及び負電極が形成された半導体チップと、正側と負側の端子電極が形成された支持部材とを備え、正電極を正側の端子電極に対向させかつ負電極を負側の電極に対向させてそれぞれ接続して樹脂封止した光半導体素子であって、半導体層と支持部材との間及び透光性基板の側面とに形成された封止樹脂を硬化させる時の収縮力が、透光性基板の他方の主面上の封止樹脂を硬化させるときの収縮力に比較して小さくなるように、透光性基板の他方の主面上の封止樹脂の厚さを薄くした。

Claim (excerpt)：

透光性基板の一方の主面に活性層を含む半導体層と正電極及び負電極が形成された半導体チップと、正側と負側の端子電極が形成された支持部材とを備え、上記正電極を上記正側の端子電極に対向させかつ上記負電極を上記負側の電極に対向させてそれぞれ接続して樹脂封止した光半導体素子であって、上記半導体層と上記支持部材との間及び上記透光性基板の側面とに形成された封止樹脂を硬化させる時の収縮力が、上記透光性基板の他方の主面上の封止樹脂を硬化させる時の収縮力に比較して大きくなるように、上記透光性基板の他方の主面上の封止樹脂の厚さを薄くしたことを特徴とする光半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

光電変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-194139 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
特開平2-090576
半導体エネルギー検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-195594 Applicant：浜松ホトニクス株式会社

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