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J-GLOBAL ID：200903027058661822

化合物膜の製造方法および化合物半導体素子の製造方法

Inventor：
岡本 直之

About 岡本 直之


Applicant, Patent owner：
株式会社NEOMAX

About 株式会社NEOMAX


Agent (1)： 奥田 誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004085524
Publication number (International publication number)：2005272894
Application date： Mar. 23, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：
【課題】原料を効率的に利用でき、生産性の高い化合物膜の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の化合物膜の製造方法は、元素Aを含み、融点がTmである材料からなるターゲット18を用意する工程(a)と、ターゲット18に対向する位置に基板12を配置する工程(b)と、ターゲット18と基板12との間において元素Bを含むガスのプラズマを形成し、ターゲット18の表面をスパッタリングする工程(c)と、基板12上に元素Aおよび元素Bを含む化合物の膜20を成長させる工程(d)とを含む化合物膜の製造方法である。工程(c)は、ターゲット18の少なくとも表面領域を融点Tm以上に加熱し、厚さ1μm以上の溶融層を形成しながら、溶融層の表面をスパッタリングする工程(c1)を含む。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
元素Aを含み、融点がTmである材料からなるターゲットを用意する工程(a)と、 前記ターゲットに対向する位置に基板を配置する工程(b)と、 前記ターゲットと前記基板との間において元素Bを含むガスのプラズマを形成し、前記ターゲットの表面をスパッタリングする工程(c)と、 前記基板上に元素Aおよび元素Bを含む化合物の膜を成長させる工程(d)と、 を含む化合物膜の製造方法であって、 前記工程(c)は、前記ターゲットの少なくとも表面領域を融点Tm以上に加熱し、厚さ1μm以上の溶融層を形成しながら、前記ターゲットの表面をスパッタリングする工程(c1)を含む化合物膜の製造方法。
IPC (4)：
C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (4)：
C23C14/34 R ,  H01L21/203 S ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
F-Term (24)：
4K029AA04 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC12 ,  4K029DC23 ,  4K029EA08 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA67 ,  5F103AA08 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103RR05 ,  5F173AH22 ,  5F173AP30 ,  5F173AQ12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 半導体ウエハ及び結晶成長方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-318237   Applicant：キヤノン株式会社
  • ガリウム化合物の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-342662   Applicant：ミノルタ株式会社
  • 特開昭53-118976
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Cited by examiner (6)
  • 特開昭53-118976
  • 薄膜製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-236064   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 特開昭48-040699
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